GaN Process Development Engineer

X-FAB sucht einen GaN Process Development Engineer für unser globales Prozessentwicklungsteam in Dresden, Deutschland, das als Teil einer internationalen Organisation an der Entwicklung von Wide Band Gap Technologien arbeitet.

Deine Aufgaben: 

›    Entwicklung von GaN / Wide Band Gap Halbleiterbauelementen und -prozessen.
›    Definition von Halbleiterprozessabläufen und Bauteilarchitekturen.
›    ' TCAD-Simulation von Bauelementen und Prozessen.
›    Definition, Durchführung und Auswertung von Experimenten unter Verwendung der Design of Experiments (DoE) Methodik.
›    Entwicklung und Design von Teststrukturen.
›    Elektrische Charakterisierung von GaN / Wide Band Gap Bauelementen.
›    Prozessintegration und Zusammenarbeit mit anderen Abteilungen innerhalb von X-FAB.
›    Angebot technischer Unterstützung für Kunden.
›    Zusammenarbeit mit externen Partnern. 
›    Leitung von Entwicklungsprojekten, Arbeit in interdisziplinären und internationalen Teams.

Dein Profil:

›    Master-Abschluss im Bereich Elektrotechnik, Mikroelektronik oder in einem verwandten Bereich.
›    Mindestens 3 Jahre Erfahrung in der Entwicklung, Funktionalität, Herstellung, Charakterisierung und Anwendung von GaN / Wide Band Gap Halbleiterbauelementen.
›    Erfahrung mit GaN / Wide Band Gap Waferprozessen.
›    Erfahrung in der Entwicklungsumgebung für die Automobilindustrie ist wünschenswert.
›    Spaß an Teamarbeit in einem multikulturellen Arbeitsumfeld.
›    Interesse an der Entwicklung von modernen Halbleiterbauelementen mit höchsten Qualitätsstandards.
›    Erfahrung im Projektmanagement.
›    Starke Kommunikationsfähigkeiten in einem internationalen Umfeld.