GaN Process Development Engineer 1
X-FAB sucht einen erfahrenen Staff/Principal GaN / Wide Band Gap Process Development Engineer zur Verstärkung unserer globalen Process Development Organisation am Standort Dresden. In dieser technisch führenden Rolle übernehmen Sie eine zentrale Verantwortung für die Entwicklung und Industrialisierung fortschrittlicher GaN-/Wide-Band-Gap-Technologien und arbeiten eng mit internationalen und interdisziplinären Teams innerhalb von X-FAB zusammen.
Ihre Aufgaben:
› Leitung der Entwicklung von GaN-/Wide-Band-Gap-Halbleiterbauelementen und -prozessen.
› Definition von Bauelementarchitekturen, Prozessabläufen und Technologiekonzepten.
› Durchführung und fachliche Anleitung von TCAD-Simulationen, DoE sowie elektrischen Charakterisierungen.
› Steuerung der Prozessintegration von der Entwicklung bis hin zur Produktionsreife.
› Identifikation technischer Risiken sowie Entwicklung von Lösungen für komplexe technologische Herausforderungen.
› Bereitstellung technischer Expertise und Unterstützung für Kunden und externe Partner.
› Leitung komplexer Entwicklungsprojekte in interdisziplinären und internationalen Teams.
› Mentoring von Ingenieuren sowie aktive Mitgestaltung der GaN-/Wide-Band-Gap-Technologie-Roadmap.
Ihr Profil:
› Abgeschlossenes Masterstudium und Promotion im Bereich Elektrotechnik, Mikroelektronik oder einer vergleichbaren Fachrichtung.
› Mindestens 5 Jahre umfassende Erfahrung in der Entwicklung, Funktionsweise, Fertigung, Charakterisierung und Anwendung von GaN-/Wide-Band-Gap-Halbleiterbauelementen.
› Fundierte Kenntnisse in Wafer-Prozessierung, Prozessintegration und elektrischer Charakterisierung.
› Erfahrung in einem Entwicklungsumfeld für die Automobilindustrie.
› Freude an der Zusammenarbeit in einem multikulturellen und internationalen Arbeitsumfeld.
› Interesse an der Entwicklung moderner Halbleiterbauelemente mit höchsten Qualitätsstandards.
› Ausgeprägte Projektmanagementkenntnisse und entsprechende Erfahrung.
› Sehr gute Kommunikationsfähigkeiten in einem internationalen Umfeld.